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德国好意思因茨约翰内斯古腾堡大学 (JGU) 的一个筹议团队与专注于磁存储器的法国公司 Antaios 迷惑，开发出一种节能存储器技能，不错大幅缩短数据存储的功耗。

这项基于自旋轨说念扭矩 (SOT) 磁性立时存取存储器 (MRAM) 的独特有望普及从智高手机到超等探究机等一系列智能拓荒的成果。

这次冲突发生在工业技能筹议院 (ITRI) 和台积电发布我方的SOT-MRAM 阵列芯片近一年之后，该芯片被描摹为集缓存、系统内存和存储于一体。

轨说念霍尔效应

由于 SOT-MRAM 能耗较低且具有非易失性，因此被以为是静态 RAM 的有出息的替代品。与传统内存不同，它使用电流来切换磁景象，从而收场可靠的数据存储。缩短写入数据所需的高输入电流，同期确保与工业应用的兼容性仍然是一个挑战，因此 JGU 的团队开发了一种磁性材料，将钌当作 SOT 通说念，处分了这些问题并普及了性能。

拉胡尔·古普塔 (Rahul Gupta) 博士是约翰内斯堡大学物理筹议所的前博士后筹议员，亦然这项新筹议的主要作家，他示意：“这个原型相配独到，可能会透澈更正数据存储和处理花式。它不仅合适减少动力糜掷的宇宙办法，何况还为更快、更高效的存储处分决策铺平了说念路。”

该团队宣称，该技能可将能耗缩短 50% 以上、成果普及 30%、输入电流缩短 20%，并确保数据保存十年以上。

这项筹议依靠的是轨说念霍尔效应，这种效应不错在不依赖珍稀或上流材料的情况下收场更高的动力成果。传统的 SOT-MRAM 依靠的是自旋霍尔效应，这种效应需要具有强自旋轨说念耦合的元素，迪士尼彩乐园举例铂和钨。

古普塔说：“比较之下，咱们的门径愚弄了一种新颖的基本征象，即愚弄通过轨说念霍尔效应的电荷电流产生的轨说念电流，从而捣毁了对上流和珍稀材料的依赖。”

这项筹议的题为“在自旋轨说念扭矩MRAM中愚弄轨说念霍尔效应”发表在《当然通信》杂志上。

https://www.techradar.com/pro/were-getting-achingly-closer-to-sot-mram-the-memory-that-could-one-day-replace-dram-and-nand-but-i-cant-see-it-happening-soon

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